 |
"ТКЭА" № 1'2012
- Новые компоненты для электронной аппаратуры
-
Реальная и предельная чувствительность некоторых приемников излучения ТГц/суб-ТГц-диапазонов.
Шевчик-Шекера А. В. (3)
Показано, что при расчете предельных параметров NEP приемников излучения ТГц/суб-ТГц- диапазонов, ограниченных флуктуациями потоков фонового излучения, необходимо учитывать фактор группировки фотонов при их излучении нагретыми телами и влияние дифракции, вносимой антенной при введении излучения в ПИ.
Украина, г. Киев, Институт физики полупроводников
им. В. Е. Лашкарёва НАН Украины.
- Электронные средства: исследования, разработки
-
Система искусственного интеллекта для технической диагностики фотошаблонов.
Козина Ю. Ю., Козин А. А. (7)
Разработанная система имеет высокий уровень помехоустойчивости, поэтому ее включение в состав программно-аппаратного комплекса для технической диагностики фотошаблонов позволит уменьшить требования к его аппаратному исполнению, т. е. снизить стоимость комплекса, а в результате — сделать рентабельным мелкосерийное производство изделий.
Украина, Одесский национальный политехнический университет.
-
-
КИХ-фильтры с независимым управлением фазочастотной характеристикой.
Иванов В. В., Шакурский В. К., Шакурский М. В. (10)
Рассматривается структурная реализация цифровых КИХ-фильтров методом частотной выборки с возможностью управления фазочастотной характеристикой в реальном времени. Приводятся характеристики элементарных цифровых фильтров, алгоритм сложения их выходных сигналов и способ смещения фазочастотной характеристики.
Россия, г. Тольятти, Поволжский гос. университет сервиса, Тольяттинский гос. университет.
-
-
Импедансный анализатор для идентификации марок водно-спиртовых напитков.
Кукла А. Л., Павлюченко А. С., Майстренко А. С., Мамыкин А. В. (15)
Показана возможность определения марки и распознавания нелицензионного водно-спиртового напитка на основе измерения и анализа частотных характеристик активной и реактивной составляющих импеданса исследуемого раствора в диапазоне частот 0,5—105 Гц.
Украина, г. Киев, Институт физики полупроводников
им. В. Е. Лашкарёва НАНУ.
- Системы передачи и обработки сигналов
-
Непрерывная и импульсная синхронизация работы генераторов Чуа.
Элияшив О. М., Галюк С. Д., Политанский Л. Ф., Кушнир Н. Я., Танасюк В. С. (22)
Экспериментально исследованы процессы непрерывной и импульсной синхронизации двух генераторов Чуа. Предложенные методы синхронизации хаотических генераторов перспективны для применения в средствах связи при построении безопасных радиотехнических систем.
Украина, Черновицкий нац. университет имени Юрия Федьковича.
- Энергетическая электроника
-
Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными
p–n-переходами.
Гниленко А. Б., Дзензерский В. А., Плаксин С. В., Погорелая Л. М. (27)
Проведено компьютерное моделирование, которое позволило исследовать зависимость основных характеристик солнечного элемента от толщины Si-пластин в широком диапазоне значений.
Украина, г. Днепропетровск, Институт транспортных систем и технологий НАНУ.
- Функциональная микро- и наноэлектроника
-
Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения.
Перевертайло В. Л. (30)
Предложен метод определения мощности дозы излучения по ионизационному току в p—n-переходе и радиационной стойкости МДП интегральных схем с помощью низкоэнергетического (10—40 кэВ) рентгеновского излучения.
Украина, г. Киев, НИИ микроприборов НТК «ИМК» НАНУ.
-
-
Мощные излучающие диоды инфракрасного диапазона.
Коган Л. М. (35)
Представлены разработанные в НПЦ ОЭП «ОПТЭЛ» мощные ИК-диоды с длиной волны излучения 805±10, 870±20 и 940±10 нм. Сила излучения узконаправленных диодов— до 4 Вт/ср в непрерывном режиме и до 100 Вт/ср в импульсном. Мощность излучения широкоугольных диодов достигает 1 Вт в непрерывном режиме. Внешний квантовый выход излучения ИК-диодов достигает 30%. Созданы также модули ИК-диодов с блоком плоских линз Френеля с силой излучения до 70 Вт/ср.
Россия, г. Москва, НПЦ ОЭП «ОПТЭЛ».
-
-
Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS.
Гаркавенко А. С. (41)
Исследование показало, что оптимальными рабочими переходами в лазерах с электронным возбуждением на основе радиационно легированных, оптически однородных кристаллов CdS являются переходы из вырожденной зоны проводимости на мелкие акцепторные уровни изотопов палладия и серебра.
Германия, г. Штутгарт, Международный НПЦ энергосберегающих технологий.
-
Микрополосковые электромагнитные кристаллы с низкоимпедансными неоднородностями.
Назарько А. И. (44)
Предложены микрополосковые электромагнитные кристаллы на основе низкоимпедансных неоднородностей. Показано, что низкоимпедансные неоднородности обеспечивают существенное улучшение развязки сигналов по сравнению с традиционными высокоимпедансными.
Украина, НТУУ «Киевский политехнический институт».
- Обеспечение тепловых режимов
-
Интенсивность теплоотдачи при кипении на поверхности малого размера.
Алексеик О. С., Кравец В. Ю., Копчевская И. А. (49)
Исследовано влияние характерных размеров, граничных условий, а также теплофизических свойств теплоносителя (воды и этанола) на интенсивность теплоотдачи при кипении на поверхности малого размера. Получена критериальная зависимость для расчета интенсивности теплоотдачи при кипении в указанных условиях.
Украина, НТУУ «Киевский политехнический институт».
- Технологические процессы и оборудование
-
Подключающее МЭМС-устройство для контроля BGA-компонентов.
Невлюдов И. Ш., Мартыняк Р. М., Палагин
В. А., Слободян Б. С., Разумов-Фризюк Е. А., Жарикова И. В., Дмитрив М. И., Беляев А. С. (54)
Разработано многозондовое подключающее устройство для входного и функционального контроля электронных компонентов с матричными шариковыми выводами, обеспечивающее бездефектное пневматическое прижатие зондов к выводам.
Украина, Харьковский национальный университет радиоэлектроники.
|
|