Главная
Технологія та конструювання в електронній апаратурі, 2023, № 3-4, с. 47-51.
DOI: 10.15222/TKEA2023.3-4.47
УДК 621.383:548.4
Утворення дефектів на поверхні Si-підкладок в процесі термічного напилення золота
(українською мовою)
Кукурудзяк1 М. С., Кукурудзяк2 А. М.

Україна, м. Чернівці, 1Центральне конструкторське бюро «Ритм», 2Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

При виготовленні кремнієвих фотоприймачів помічено деградацію їхніх параметрів після етапу формування контакт¬них площадок методом термічного напилення золота. Під час дослідження зразків в селективному травнику виявлено комплекси структурних дефектів, які сприяли погіршенню параметрів, зокрема зростанню темнових струмів, а іноді й виникненню пробою p–n-переходу. Дослідження причин появи цих дефектів показало, що вони утворюються внаслідок локального плавлення кремнію при потраплянні на нього "крапель" золота із температурою, більшою за температуру плавлення кремнію, внаслідок кипіння у випарнику. Встановлено, що використання дроту супроводжується інтенсивнішою появою "крапель" золота, ніж при використанні корольків.

Ключові слова: кремній, дислокація, пробій, фотодіод, темновий струм.

Дата подання рукопису 30.04 2023
Використані джерела
  1. Кукурудзяк М. С., Кукурудзяк А. М. Дефектоутворення на поверхні кремнієвих підкладок при термічному напиленні золота. Труди 24-ї МНПК «Сучасні інформаційні та електронні технології», 2023, Україна, Одеса, c. 101–102.
  2. Bell S. J., Baker M. A., Duarte D. D. et al. Comparison of the surfaces and interfaces formed for sputter and electroless deposited gold contacts on CdZnTe. Applied Surface Science, 2018, vol. 427, part A, pp. 1257–1270. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2017.08.077
  3. Yu P., Gao P., Jiang B. et al. Effects of electrode fabrication on electrical properties of CdMgTe room temperature radiation detectors. Materials Science in Semiconductor Processing, 2023, vol. 153, article no. 107178. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2022.107178
  4. Zheng Q., Dierre F., Franc J. et al. Investigation of generation of defects due to metallization on CdZnTe detectors. Journal of Physics D: Applied Physics, 2012, vol. 45, no. 17, article no. 175102. https://doi.org/10.1088/0022-3727/45/17/175102
  5. Горський П. В. Типові механізми деградації термоелектричних матеріалів та шляхи зниження їх впливу на надійність термоелектричних модулів. Фізика і хімія твердого тіла, 2022, т. 23, № 3, c. 505–516. https://doi.org/10.15330/pcss.23.3.505-516
  6. Кукурудзяк М. С., Добровольський Ю. Г. Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю. Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2021, № 1–2, с. 61–67. http://dx.doi.org/10.15222/TKEA2021.1-2.61
  7. Kukurudziak M. S., Maistruk E. V. Influence of chromium sublayer on silicon P-I-N photodiodes responsivity. Proc. SPIE 12126, Fifteenth International Conference on Correlation Optics, Ukraine, Chernivtsi, 2021, 121261V. http://dx.doi.org/10.1117/12.2616170
  8. Abdullin F. A., Pautkin V. E., Pecherskaya E. A. et al. Application of the selective silicon etching methods for estimation of the wafers quality in the micromechanical sensors. In 2019 International Seminar on Electron Devices Design and Production (SED), Prague, Czech Republic, 2019, pp. 1–4. http://dx.doi.org/10.1109/SED.2019.8798467
  9. Setera B., Christou A. Challenges of overcoming defects in wide bandgap semiconductor power electronics. Electronics, 2022, vol. 11, iss. 1, article no. 10. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11010010