|
-
Секция 4. Проектирование, конструирование, производство
и контроль электронных средств
-
С. М. Хайрнасов, Б. М. Рассамакин, А. Б. Рассамакин. Применение алюминиевых тепловых труб
в системах охлаждения радиоэлектронной аппаратуры
-
А. Н. Гершуни, А. П. Нищик. Тепловые трубы в системах охлаждения радиоэлектронной аппаратуры
-
В. Ю. Кравец, С. М. Хайрнасов, О. С. Алексеик, Е. С. Алексеик, Р. С. Мельник. Влияние характеристик пористой структуры на теплопередающие способности миниатюрных тепловых труб
-
Е. С. Алексеик, В. Ю. Кравец. Зависимость теплопередающих характеристик одновитковой пульсационной тепловой трубы от длины зоны нагрева и ориентации в пространстве
-
В. Ю. Кравец, В. И. Коньшин, Бехмард Голамреза. Максимальные тепловые потоки миниатюрных термосифонов
-
А. Н. Наумова, В. Ю. Кравец. Математическая модель для расчета начала кипения в пульсационной тепловой трубе
-
Р. С. Мельник, Ю. Е. Николаенко, В. Ю. Кравец, А. Я. Паламарчук, Е. С. Алексеик, Т. Ю. Николаенко, Д. В. Кравец. Особенности новой конструкции светодиодного осветительного прибора с комбинированной системой охлаждения
-
Ю. Е. Николаенко, Е. В. Быков, М. А. Лозовой, С. М. Хайрнасов, Ю.А. Хмелев. Пути снижения температуры кристалла светодиода в составе люстры с алюминиевыми тепловыми трубами
-
В. Е. Трофимов, А. Л. Павлов. Анимация взаимодействия встречных струй в радиаторе для жидкостного охлаждения микропроцессора
-
В. О. Туз, Н. Л. Лебедь. Тепло- і масообмін при охолодженні повітря гравітаційно стікаючою ізотермічною плівкою
-
Л. І. Анатичук, Р. Р. Кобилянський, І. А. Константинович. Градуювання термоелектричних сенсорів теплового потоку
-
П. В. Горский. Новый класс функционально-градиентных термоэлектрических материалов
-
В. М. Крищук, Г. М. Шило, Ю. А. Лопатка, М. П. Гапоненко. Теплове проектування герметичних блоків РЕА етажерної конструкції
-
Г. Н. Шило, Е. К. Арешкин, Н. П. Гапоненко. Исследование массогабаритных и тепловых характеристик блоков радиоэлектронной аппаратуры с естественным воздушным охлаждением
-
E. И. Сокол, Л. А. Поспелов, К. В. Колесник, Ю. П. Федоренко. Повышение эффективности гипертермического медицинского комплекса с помощью криогенной системы термостабилизации
-
М. В. Дмитриев, Л. И. Панов, В. П. Пенков. Зависимость степени охлаждения звуком нагретого тела от расстояния до акустического излучателя
-
Э. Н. Глушеченко. Особенности проектирования многорезонаторных микрополосковых направленных фильтров
-
А. А. Лашков, А. В. Прикота, А. С. Еремин, А. С. Перов, А. В. Морозов. Ускорение процесса моделирования электронных схем большой размерности
-
А. В. Бессонов, С. Ю. Лузин, С. И. Попов. Расстановка межслойных переходов в области BGA-компонента
-
Д. О. Усикян, Д. М. Алексанян, К. Г. Аветисян, О. Т. Матевосян. Определение числа слоев проводников монтажного поля ИС
-
А. А. Ефименко, А. П. Карлангач, С. Н. Лазарев. Метод поиска оптимальных размеров печатных плат для перспективных стандартных несущих конструкций
-
А. А. Ефименко, П. П. Карлангач. Печатные индуктивные элементы и перспективы их использования
-
А. А. Ефименко, С. В. Мерлян. Расчет элементов конструкции электрических соединителей на основе гибких печатных кабелей
-
А. Н. Тыныныка. Увеличение межкалибровочного интервала с помощью прогнозных моделей
-
А. Н. Тыныныка. Применение интегральных индикаторов в отработке технологии получения материала для гибких печатных плат
-
Л. И. Панов, Б. П. Палюх, О. В. Самойлюк. Отдельные аспекты повышения эффективности монтажа узлов РЭА
-
Ю. Н. Лаврич, С. В. Плаксин, И. И. Соколовский, Л. М. Погорелая. Экспресс-метод определения качества полупроводниковых ганновских структур
-
А. С. Турцевич, С. В. Шведов, Г. Г. Чигирь, А. Н. Петлицкий. Моделирование времени наработки до отказа тонких диэлектриков субмикронных микросхем по результатам измерения величины их пробивного напряжения
-
А. С. Турцевич, В. А. Солодуха, Я. А. Соловьёв, А. Ф. Керенцев, С. С. Волкенштейн. Рентгеновский контроль изделий электронной техники на стадии отбраковочных испытаний
-
Ю. Э. Паэранд, П. В. Охрименко, К. Ю. Филоненко. Влияние места закрепления пьезотрансформатора на эффективность его работы
-
Ю. Э. Паэранд, В. Д. Потапов, П. В. Охрименко. Влияние емкостной составляющей нагрузки на коэффициент трансформации пьезотрансформатора
-
К. И. Ермоленко, А. Ф. Бондаренко. Использование современных MEMS-датчиков для измерения перемещений электродов при микросварке
-
З. Стевич, М. Райчич-Вуясинович, С. Иванов, В. Грекулович, Е. Пожега. Тепловизионные исследования гибридных солнечных систем на основе фотоэлектрических и термоэлектрических модулей
-
В. А. Мокрицкий, О. В. Маслов, О.В. Банзак. Системы индивидуального дозиметрического контроля
-
М. В. Ядрова, Е. Д. Поперека, В. Л. Костенко. Моделирование измерительного пьезопреобразователя системы контроля нормированных параметров вибрации
-
В. Л. Костенко, А. А. Николенко, Е. Д. Поперека. Многофункциональный измерительно-информационный комплекс автоматизированного контроля санитарно-гигиенических факторов производственной сферы
-
Секция 5. Функциональная электроника. Микро- и нанотехнологии
-
Д. Л. Ника. Фононая инженерия в графене
-
A. Cocemasov, D. Nika, A. Balandin. Phonon thermal conductivity in Si/Ge modulated nano-wires
-
С. И. Болдырев, К. Я. Исакова, Д. Л. Ника. Энергетический спектр электронов в квантовой нити переменного сечения Si/SiO2
-
В. И. Брынзарь, И. А. Дамаскин, Л. И. Трахтенберг, Б. К. Чо, Г. С. Коротченков. Термоэлектрические свойства наноразмерных пленок в системе ITO (In2O3 — SnO2)
-
Ю. Б. Борис, Г. С. Коротченков, Б. К. Чо, В. И. Брынзар. Влияние легирования на морфологию пленок SnO2
-
Ф. Ф. Комаров, Н. С. Ковальчук, Л. А. Власукова, В. А. Солодуха, И. Н. Пархоменко, О. В. Мильчанин. Фотолюминесценция пленок нитрида кремния с избытком кремния и азота
-
В. М. Попов, А. С. Клименко, А. П. Поканевич. Разработка и внедрение методов выявления, локализации и исследования электрически активных дефектов в структурах микроэлектроники
-
А. Ф. Белянин, В. В. Борисов, M. И. Самойлович. Влияние термообработки углеродных пленок на характеристики автоэмиссионных катодов
-
М. И. Самойлович, В. Бовтун, А. Ф. Белянин. Радиопоглощающие и радиопрозрачные опаловые матрицы с заполнением межсферических нанополостей кристаллическими веществами
-
А. В. Самойлов, В. А. Данько, Р. В. Христосенко, Г. В. Дорожинський. Застосування пористих плівок SiOx в сенсорах на основі поверхневого плазмонного резонансу
-
А. И. Кондрик. Влияние радиационных дефектов на свойства детекторов на основе CdTe и CdZnTe
-
В. А. Завадский, В. А. Мокрицкий. Влияние радиационного облучения на параметры полупроводниковых фотоэлектронных приборов
-
А. Н. Деменский, С. Ю. Ерохин, В. А. Краснов, С. В. Шутов. Оценка уровня токов утечки широкозонных диодов из термометрических измерений
-
А. Н. Рудякова, А. Ю. Липинский, В. В. Данилов. Математическая модель процесса формирования голограммы в фоторефрактивном кристалле
-
А. И. Казаков, О. А. Краева, Г. В. Шаповалов. Компьютерное моделирование формирования пространств сосуществования фаз в четверных полупроводниковых твердых растворах
-
Н. Л. Лагунович, В. М. Борздов, А. С. Турцевич. Моделирование технологического процесса изготовления и электрических характеристик кремниевого диода при различных параметрах эпитаксиальной пленки
-
В. В. Курак, Е. В. Андронова, Е. А. Баганов, В. В. Томилова. Определение технологических параметров вакуум-термического напыления тонких пленок GaSb
-
Д. В. Вертянов, А. А. Голишников, Д. А. Костюков, М. Г. Путря, С. П. Тимошенков. Исследование процесса плазменного травления полиимидных материалов
-
В. А. Пилипенко, В. В. Понарядов, А. С. Турцевич, С. В. Шведов, В. А. Горушко, Т. В. Петлицкая. Оценка равномерности нагрева поверхности полупроводниковых пластин при быстрой термической обработке
-
М. С. Афанасьев, А. И. Левашова, С. А. Левашов, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева, А. Э. Набиев. Выбор оптимального технологического режима формирования сегнетоэлектрических пленок на кремниевых подложках
-
Е. И. Гольдман, А. И. Левашова, С. А. Левашов, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева. Измерения высокоча¬стотного импеданса структур «металл – диэлектрик – полупроводник» со сверхтонким оксидом
-
В. В. Цибуленко, С. В. Шутов, О. І. Марончук. Аналіз умов отримання тонких та надтонких епітаксійних шарів методом рідиннофазной епітаксії
-
П. П. Москвин, В. Б. Крыжановский, Л. В. Рашковецкий, П. Н. Литвин. Применение мультифрактального анализа для количественного описания состояния поверхности гетероструктур ZnхCd1–хTe – Si
-
М. О. Рапидов, В. В. Денискин. Особенности технологии формирования элементов позиционирования для многокристальных модулей
-
В. В. Денискин, М. О. Рапидов. Негативный электронорезист SAN для нанолитографии
-
А. Н. Белов, В. Г. Плаксин, В. И. Шевяков. Формирование медной металлизации в СБИС с субмикронными топологическими нормами
-
А. В. Воробьёв, В. Д. Жора. Новые гибкие фольгированные диэлектрики для электронной техники
-
А. А. Дружинин, И. П. Островский, Ю. М. Ховерко, Р. М. Корецкий. Микроэлектронные компоненты интегральных схем, работоспособные при криогенных температурах
-
А. П. Алиева, С. Ш. Кахраманов, Ф. К. Алескеров, С. А. Набиева, К. Ш. Кахраманов. Наноструктурированные слоистые системы A2VB3VI
-
Д. Мелебаев, О. Ч. Аннаев, Ю. В. Рудь, В. Ю. Рудь. Гетероваризонные структуры Ga1–xAlxP/GaP нового типа
-
Д. Мелебаев, А. Х. Мухамедоразова, О. Гурбанова, В. Б. Сахетлиев. Получение и фотоэлектрические свойства барьера Шоттки Pd – n-GaAs
-
Д. Мелебаев, О. Ч. Аннаев. Исследование зонной структуры полупроводниковых твердых растворов Ga1–xAlxP фотоэлектрическим методом
-
Г. Д. Мелебаева, М. О. Маммедова. Определение высоты барьера Шоттки Ni – n-GaAs фотоэлектрическим методом
-
Н. Назаров, Д. Мелебаев, М. А. Абдуллаев. Спектр фоточувствительности барьеров Шоттки
Au – n-GaP – n-Si
-
Д. Мелебаев, А. М. Ташлиева, И. Н. Туджанова, Айкутлу Дана, С. Буржуев. Фоточувствительность
Au – Ga2O3(Fe) – n-GaP наноструктур в УФ-области спектра
-
Д. Мелебаев, М. К. Овлякулова, С. Т. Абаев, Д. Худайназаров. Создание фотоприемников солнечного УФ-излучения для экологических исследований
|
|