№ 6 (2008): Технология и конструирование в электронной аппаратуре

Articles

• Программа анализа перекрестных помех в цепях печатных плат

  В. К. Сиротко

  11-22

  • PDF
• Интегральный оптоэлектронный коммутатор на ДМОП-транзисторах

  Л. Ф. Политанский, В. В. Лесинский

  23-27

  • PDF
• Система передачи цифровой информации на основе многоуровневых сигналов с компактным спектром

  Э. А. Сукачёв, П. А. Шкулипа

  28-31

  • PDF
• Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей

  И. Е. Марончук, Ю. А. Доброжанский

  32-34

  • PDF
• Симметричный двухкоординатный фотодиод

  Ю. Г. Добровольский, В. В. Рюхтин, И. И. Фединчук, В. Г. Юрьев

  35-37

  • PDF
• Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа

  В. А. Краснов, Ю. М. Шварц, М. М. Шварц, Д. П. Копко, С. Ю. Ерохин, А. М. Фонкич, С. В. Шутов, Н. И. Сыпко

  38-40

  • PDF
• Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев

  Е. В. Андронова, В. В. Курак

  41-43

  • PDF
• Источник магнитных полей сложной энергочастотной и поляризационной структуры

  Н. Е. Житник, С. В. Плаксин, Л. М. Погорелая, И. И. Соколовский, A. A. Яшин

  44-47

  • PDF
• Получение эффективных катодолюминесцентных структур на базе пленочной технологии

  Л. Ф. Коваленко, В. В. Севастьянов, В. С. Хомченко, Ю. А. Цыркунов

  48-49

  • PDF
• Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x

  Г. А. Гасанов, М. И. Мургузов

  50-54

  • PDF
• Электропроводящие тонкие пленки для BaCuTeF прозрачных контактов в полупроводниковой электронике

  З. Ю. Готра, Дж. Тейт, Р. Кикинеши, А. А. Закутаев, Л. М. Ракобовчук

  54-57

  • PDF
• Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла

  Т. С. Кавецкий, О. И. Шпотюк, П. Г. Литовченко, В. М. Цмоць

  58-59

  • PDF
• Расчет характеристик рентгеновского излучения

  С. А. Душкин, А. М. Куров, В. А. Одинец, А. Н. Оробинский

  60-64

  • PDF