Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев

  • А. В. Каримов НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
  • Д. М. Ёдгорова НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
  • Ф. А. Гиясова НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
  • Р. А. Саидова НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
  • Ш. А. Хайдаров НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
Ключові слова: жидкостная эпитаксия, полупроводники AIII–BV, поршневое устройство, градиент концентрации примесей, внутренние электрические поля

Анотація

Модифицировано поршневое устройство для жидкостной эпитаксии полупроводниковых соединений типа АIIIВV. Показана возможность управления градиентом концентрации примесей, создающим внутренние электрические поля в фотоприемной и активной областях полупроводниковых структур, путем выбора закономерности выдавливания раствора-расплава.

Опубліковано
2007-12-30
Як цитувати
Каримов, А. В., Ёдгорова, Д. М., Гиясова, Ф. А., Саидова, Р. А., & Хайдаров, Ш. А. (2007). Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (6), 57-61. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.6.57
Номер
№ 6 (2007): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2007 Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Саидова Р. А., Гиясова Ф. А., Хайдаров Ш. А.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.