Формирование наноструктурированных пленок иридия и поликластерного алмаза

  • А. Ф. Белянин ЦНИТИ «Техномаш-ВОС», Москва, Россия
  • А. Ф. Паль НИИ ядерной физики им. Д. В. Скобельцына, Москва, Россия
  • М. И. Самойлович ЦНИТИ «Техномаш-ВОС», Москва, Россия
  • Н. В. Суетин НИИ ядерной физики им. Д. В. Скобельцына, Москва, Россия
  • Н. Н. Дзбановский ВНИИ неорганических материалов им. А. А. Бочвара, Москва, Россия
  • В. С. Митин ЦНИТИ «Техномаш-ВОС», Москва, Россия
  • П. В. Пащенко ЦНИТИ «Техномаш-ВОС», Москва, Россия
  • М. А. Тимофеев НИИ ядерной физики им. Д. В. Скобельцына, Москва, Россия
Ключові слова: наноструктурированные пленки иридия и алмаза, магнетронное распыление, СВЧ-разряд, микроэлектроника

Анотація

На подложках из Al2O3, MgO и SrTiO3 сформированы пленки Ir и слоистые структуры "иридий-алмаз". Пленки Ir получали магнетронным распылением, пленки поликластерного алмаза - методом СВЧ-разряда. Изучено строение пленок Ir и алмаза в зависимости от условий получения. Рассмотрено применение поликластерных пленок алмаза в качестве теплоотводов гибридных интегральных схем и управляющих сеток электронных приборов.

Опубліковано
2007-12-30
Як цитувати
Белянин, А. Ф., Паль, А. Ф., Самойлович, М. И., Суетин, Н. В., Дзбановский, Н. Н., Митин, В. С., Пащенко, П. В., & Тимофеев, М. А. (2007). Формирование наноструктурированных пленок иридия и поликластерного алмаза. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (6), 50-56. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.6.50
Номер
№ 6 (2007): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2007 Белянин А. Ф., Паль А. Ф., Самойлович М. И., Суетин Н. В., Дзбановский Н. Н., Митин В. С., Пащенко П. В., Тимофеев М. А.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.