Изменение сопротивления силовых диодов под действием импульсов ударного тока

  • С. П. Павлюк Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, Украина
  • С. М. Савицкий Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, Украина
  • Р. Б. Солтис Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, Украина
  • И. Ю. Тищенко Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, Украина
Ключові слова: ударный ток, сопротивление, разогрев, дефекты, центры рекомбинации, время жизни

Анотація

Исследованы причины выхода из строя кристаллов полупроводниковых силовых диодов при прохождении через них импульсов ударного тока. Показано, что при токах меньше ударного сопротивление и надежность работы диода не изменяются. При ударном токе сопротивление диода увеличивается при каждом повторном импульсе. После прохождения нескольких импульсов диод выходит из строя, т. к. его прямое сопротивление увеличивается в 3 раза, а температура существенно превышает допустимую. Предложено объяснение наблюдаемых эффектов.

Опубліковано
2007-12-30
Як цитувати
Павлюк, С. П., Савицкий, С. М., Солтис, Р. Б., & Тищенко, И. Ю. (2007). Изменение сопротивления силовых диодов под действием импульсов ударного тока. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (6), 33-35. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.6.33
Номер
№ 6 (2007): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2007 Павлюк С. П., Савицкий С. М., Солтис Р. Б., Тищенко И. Ю.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.