Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs

  • С. И. Круковский НПП «Карат», Львов, Украина
  • Ю. Е. Николаенко НПП «Карат», Львов, Украина
Ключові слова: фотопреобразователи, многослойные тандемные гетероструктуры, низкотемпературная ЖФЭ, коэффициент полезного действия, легирование, p–n-переход

Анотація

Cообщается об изготовлении и исследовании тандемных солнечных элементов на основе GaAs–InGaAs–AlGaAs с активной площадью 0,93 см2. Туннельный переход применяется для соединения между собой верхней (AlGaAs) и нижней (InGaAs) ячеек тандемного солнечного элемента. Измеренные при спектральных условиях АМ 1,5 (1 солнце) значения плотности фототока и напряжения холостого хода достигали значений 14,2–15,1 мА/см2 и 2,35–2,43 В, соответственно, а коэффициент полезного действия 26,4–30,1%.

Опубліковано
2003-12-30
Як цитувати
Круковский, С. И., & Николаенко, Ю. Е. (2003). Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (6), 39-40. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.39
Номер
№ 6 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2003 Круковский С. И., Николаенко Ю. Е.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.