Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений

  • А. И. Кондрик ННЦ «Харьковский физико-технический институт», Украина
  • Г. П. Ковтун ННЦ «Харьковский физико-технический институт», Украина
Ключові слова: CdZnTe-детектори, іонізуюче випромінювання, дрейфова рухливість електронів, питомий опір, комп’ютерне моделювання, ширина забороненої зони

Анотація

Методом компьютерного моделирования исследовались дрейфовая подвижность электронов проводимости (µ) и удельное сопротивление (ρ) материала детекторов CdZnTe в зависимости от примесного состава и мольной доли соединения СdTe (CCdTe ) при температуре Т=300 К. Установлено, что увеличение запрещенной зоны Eg0 (при Т=0) от 1,6 эВ (соответствующее CCdTe =1) до 1,8 эВ (CСdTe ≈ 0,8) приводит к увеличению ρ примерно на два порядка. При сохранении исходного состава фоновых примесей дальнейшее увеличение Eg0 вплоть до 2,1 эВ (CCdTe ≈ 0,5) существенно не влияет на величину Eg0.

Опубліковано
2003-12-30
Як цитувати
Кондрик, А. И., & Ковтун, Г. П. (2003). Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (6), 3-6. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.03
Номер
№ 6 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2003 Кондрик А. И., Ковтун Г. П.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.