Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А2В6

  • К. В. Колежук Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • В. Н. Комащенко Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Г. И. Шереметова Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Ю. Н. Бобренко Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
Ключові слова: многослойные гетероструктуры, поликристаллические пленки, соединения А2В6, фотоэлектрические приборы, потенциальные барьеры, сенсоры излучения

Анотація

Показана применимость некоторых гетероструктурных концепций к поликристаллическим объектам на основе решеточно-несогласованных соединений А2В6 и перспективность таких многослойных гетероструктур для разработки фотоэлектрических приборов. Наличие потенциальных барьеров на границе полупроводников с различной шириной запрещенной зоны позволяет минимизировать рекомбинационные потери и конструировать новые типы эффективных сенсоров излучения на основе широкозонных полупроводников, выращенных на узкозонной подложке.

Опубліковано
2003-04-30
Як цитувати
Колежук, К. В., Комащенко, В. Н., Шереметова, Г. И., & Бобренко, Ю. Н. (2003). Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А2В6. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (2), 49-50. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.2.49
Номер
№ 2 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2003 К. В. Колежук, В. Н. Комащенко, Г. И. Шереметова, Ю. Н. Бобренко

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.