Моделирование процессов бесконтактного химикомеханического изготовления подложек полупроводников

  • Н. Н. Григорьев Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • М. Ю. Кравецкий Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Г. А. Пащенко Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • С. А. Сыпко Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • А. В. Фомин Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
Ключові слова: бесконтактное хими­ко‑механическое полирование, химическая резка, полупроводниковые подложки, физическая модель, технологические режимы

Анотація

Разработана физическая модель операций бесконтактного химико-механического полирования и химической резки. Получены аналитические выражения, связывающие геометрию образованной поверхности и скорость обработки с физическими параметрами протекающих процессов. Это позволяет использовать результаты работы при разработке травящих растворов и выборе оптимальных технологических режимов операций бесконтактного безабразивного передела слитков для получения полупроводниковых подложек.

Опубліковано
2003-04-30
Як цитувати
Григорьев, Н. Н., Кравецкий, М. Ю., Пащенко, Г. А., Сыпко, С. А., & Фомин, А. В. (2003). Моделирование процессов бесконтактного химикомеханического изготовления подложек полупроводников. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (2), 36-40. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.2.36
Номер
№ 2 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2003 Н. Н. Григорьев, М. Ю. Кравецкий, Г. А. Пащенко, С. А. Сыпко, А. В. Фомин

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.