Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника

  • A. K. Мамедов Азербайджанский технический университет, Баку, Азербайджан
Ключові слова: тонкопленочный транзистор, затвор Шоттки, аморфный полупроводник, математическая модель, фталоцианин, устройства отображения

Анотація

Предложена математическая модель тонкопленочного транзистора с затвором Шоттки на основе аморфных полупроводниковых слоев. На основе представленной модели проведен расчет основных параметров и характеристик транзистора на основе органической пленки из фталоцианина. Указана перспективность использования подобных транзисторов в качестве переключающих элементов в устройствах отображения информации.

Опубліковано
2003-04-30
Як цитувати
МамедовA. K. (2003). Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (2), 18-20. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.2.18
Номер
№ 2 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2003 А. К. Мамедов

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.