Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жид­ко­фаз­ной эпитаксии

  • Н. М. Вакив НПП «Карат», Львов, Украина
  • С. И. Круковский НПП «Карат», Львов, Украина
  • А. В. Сукач Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • В. В. Тетёркин Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • И. А. Мрыхин НПП «Карат», Львов, Украина
  • Ю. С. Михащук НПП «Карат», Львов, Украина
  • Р. С. Круковский НПП «Карат», Львов, Украина
Ключові слова: эпитаксиальные гетероструктуры, жидкофазная эпитаксия, легирование, электролюминесценция, фоточувствительность

Анотація

Получены эпитаксиальные гетероструктуры p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, в которых ме­тал­лур­ги­чес­кая граница совпадает с электрической. Это достигается выращиванием до­пол­ни­тель­но­го буферного слоя n-InP и уменьшением времени выращивания эмиттерного p+-InP-слоя, сильно легированного Zn. Спектры электролюминесценции таких структур имеют ме­нь­шую полуширину и более высокую мощность ИК-излучения, чем те, в которых фор­ми­ру­ет­ся p-n-переход в InGaAsP-слое. Гетероструктуры предназначены для создания эф­фек­тив­ных ИК-светодиодов с длиной волны в максимуме спектра 1,06 мкм.

Опубліковано
2012-02-28
Як цитувати
Вакив, Н. М., Круковский, С. И., Сукач, А. В., Тетёркин, В. В., Мрыхин, И. А., Михащук, Ю. С., & Круковский, Р. С. (2012). Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жид­ко­фаз­ной эпитаксии. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (2), 27-30. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.27
Номер
№ 2 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2012 Вакив Н. М., Круковский С. И., Сукач А. В., Тетёркин В. В., Мрыхин И. А., Михащук Ю. С., Круковский Р. С.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.