Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe

Анотація

Предложен новый физический метод пассивации Cd_1–хZn_хTe-детекторов — обработка по­верх­нос­ти кристалла с помощью лазерной абляции (ЛА) с последующей фотостимулированной пас­си­ва­ци­ей (ФСП), при котором образование на поверхности образца высокоомного оксидного слоя происходит после очистки его поверхности при воздействии интенсивного светового излучения. Метод технологичен и по сравнению с методами ФСП и ФЭСП обеспечивает получение более толстых, однородных и высокоомных оксидных пленок, что существенно увеличивает поверхностное электросопротивление образцов и уменьшает в них токи утечки.