Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током

  • Ю. Г. Добровольский НПФ «Тензор», Черновцы, Украина
  • A. A. Ащеулов НПФ «Тензор», Черновцы, Украина
Ключові слова: p–i–n-фотодиод, чувствительность, темновой ток

Анотація

Исследовано влияние кольцевой металлизации обратной стороны кристалла p–i–n-фо­то­ди­о­да на основе высокоомного кремния на его характеристики. Это позволяет уменьшить тем­но­вой ток на порядок, при этом потери токовой монохроматической чувствительности на длине вол­ны 1,06 мкм не превышают 15%. Характеристики предложенного фотодиода показывают, что он может быть рекомендован в качестве базовой конструкции при разработке серийных изделий.

Опубліковано
2011-06-28
Як цитувати
Добровольский, Ю. Г., & АщеуловA. A. (2011). Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (3), 27-31. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.3.27
Номер
№ 3 (2011): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2011 Добровольский Ю. Г., Ащеулов А. А.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.