Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров фи­зи­чес­ких величин

  • A. A. Дружинин Национальный университет «Львовская политехника», Львов, Украина
  • И. П. Островский Национальный университет «Львовская политехника», Львов, Украина
  • Ю. Н. Ховерко Национальный университет «Львовская политехника», Львов, Украина
  • П. Г. Литовченко Национальный университет «Львовская политехника», Львов, Украина
  • H. T. Павловская Национальный университет «Львовская политехника», Львов, Украина
  • Ю. В. Павловский Национальный университет «Львовская политехника», Львов, Украина
  • В. М. Цмоць Дрогобыческий гос. педагогический ун-т имени Ивана Франка, Украина
  • В. Ю. Поварчук Институт ядерных исследований НАНУ, Институт физики НАНУ, Киев, Украина
Ключові слова: нитевидный кристалл, кремний-германий, тензорезистор, гамма-облучение

Анотація

Изучено влияние облучения γ-квантами (излучение Co60) с дозами до 1·1018 см–2 и магнитного по­ля с индукцией до 14 Тл на электропроводность нитевидных кристаллов Si1–xGex (х = 0,03) с удель­ным сопротивлением 0,08—0,025 Ом·см в интервале температур 4,2—300 К. Ус­та­нов­ле­но, что сопротивление кристаллов слабо меняется в процессе облучения дозами до 2·1017 см–2, в то же время наблюдается существенный магниторезистивный эффект. На ос­но­ве проведенных исследований предложены условия создания радиационно стойких сенсоров де­фор­ма­ции, работоспособных в сильных магнитных полях.

Опубліковано
2011-04-28
Як цитувати
ДружининA. A., Островский, И. П., Ховерко, Ю. Н., Литовченко, П. Г., ПавловскаяH. T., Павловский, Ю. В., Цмоць, В. М., & Поварчук, В. Ю. (2011). Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров фи­зи­чес­ких величин. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (1–2), 10-12. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2011.1-2.10