Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
Анотація
Изучено влияние облучения γ-квантами (излучение Co60) с дозами до 1·1018 см–2 и магнитного поля с индукцией до 14 Тл на электропроводность нитевидных кристаллов Si1–xGex (х = 0,03) с удельным сопротивлением 0,08—0,025 Ом·см в интервале температур 4,2—300 К. Установлено, что сопротивление кристаллов слабо меняется в процессе облучения дозами до 2·1017 см–2, в то же время наблюдается существенный магниторезистивный эффект. На основе проведенных исследований предложены условия создания радиационно стойких сенсоров деформации, работоспособных в сильных магнитных полях.
Авторське право (c) 2011 Дружинин А. А., Островский И. П., Ховерко Ю. Н., Литовченко П. Г., Павловская Н. Т., Павловский Ю. В., Цмоць В. М., Поварчук В. Ю.

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.