Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов

  • Ю. А. Загоруйко НТК «Інститут монокристалів» НАНУ, Харьков, Украина
  • В. А. Христьян НТК «Інститут монокристалів» НАНУ, Харьков, Украина
  • О. А. Федоренко НТК «Інститут монокристалів» НАНУ, Харьков, Украина
Ключові слова: фотоэлектростимулированная пассивация поверхности, токи утечки, Cd1–xZnxTe-детектор

Анотація

Разработан новый физический метод пассивации Cd1–xZnxTe-детекторов — фо­то­эле­ктро­сти­му­ли­ро­ван­ная пассивация, при которой окисление образца с образованием на его поверхности вы­со­ко­ом­но­го оксидного слоя происходит при одновременном воздействии интенсивного све­то­во­го об­лу­че­ния и электрического поля. Показано, что метод технологичен и обеспечивает получение тол­стых оксидных пленок, что существенно увеличивает поверхностное электросопротивление образцов Cd1–xZnxTe и уменьшает в них токи утечки.

Опубліковано
2010-04-26
Як цитувати
Загоруйко, Ю. А., Христьян, В. А., & Федоренко, О. А. (2010). Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (2), 56-57. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.2.56