Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка

  • В. Л. Перевертайло НИИ микроприборов НАНУ, Киев, Украина
  • Ю. Г. Добровольский НПФ «Тензор», Черновцы, Украина
  • В. М. Попов НИИ микроприборов НАНУ, Киев, Украина
  • А. П. Поканевич НИИ микроприборов НАНУ, Киев, Украина
  • В. М. Мацкевич НИИ микроприборов НАНУ, Киев, Украина
  • В. Д. Рыжиков Институт сцинтилляционных материалов НАН Украины, Харьков, Украина
  • Б. Г. Шабашкевич НПФ «Тензор», Черновцы, Украина
  • В. Г. Юрьев НИИ микроприборов НАНУ, Киев, Украина
Ключові слова: фотодиод Шоттки, УФ-излучение, радиометрия, дозиметрия

Анотація

Рассмотрены конструкция и технология изготовления фотодиодов Шоттки на основе ZnSe, чувствительных в ультрафиолетовой области спектра. Проведены исследования эле­ктро­фи­зи­чес­ких и фотоэлектрических характеристик фотодиодов Шоттки Nі–ZnSe(Te,O)–Іn и показано, что они мо­гут быть применены в приборах для радиометрии и дозиметрии УФ-излучения в диапазонах УФА, УФВ и УФС. Сравнение параметров УФ-фотодиодов на ZnSe с аналогами показали, что су­щес­твенным отличием разработанного фотодиода является его малая емкость и низкое значение тем­но­во­го тока.

Опубліковано
2010-04-26
Як цитувати
Перевертайло, В. Л., Добровольский, Ю. Г., Попов, В. М., Поканевич, А. П., Мацкевич, В. М., Рыжиков, В. Д., Шабашкевич, Б. Г., & Юрьев, В. Г. (2010). Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (2), 17-21. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2010.2.17
Номер
№ 2 (2010): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2010 Перевертайло В. Л., Добровольский Ю. Г., Попов В. М., Поканевич А. П., Мацкевич В. М., Рыжиков В. Д., Шабашкевич Б. Г., Юрьев В. Г.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.