Мо­ди­фи­ка­ция ба­рьер­ной струк­ту­ры на ос­но­ве pAlGaInAs–nGaAs по­сле­до­ва­те­ль­но со­е­ди­нен­ны­ми по­тен­ци­а­ль­ны­ми ба­рье­ра­ми

Анотація

Ис­сле­до­ва­но вли­я­ние по­сле­до­ва­те­ль­но со­е­ди­нен­ных по­тен­ци­а­ль­ных ба­рье­ров на фи­зи­че­ские про­це­ссы, про­те­ка­ю­щие в pAlGaInAs–nGaAs-ге­те­ро­пе­ре­хо­де на при­ме­ре од­но- и мно­го­ба­рьер­ных струк­тур. По­ка­за­но, что мо­ди­фи­ка­ция ге­те­ро­пе­ре­хо­да пу­тем соз­да­ния по­сле­до­ва­те­ль­но со­е­ди­нен­но­го ба­рье­ра к под­лож­ке и к ге­те­ро­слою при­во­дят к пе­ре­во­ду пас­сив­ной па­ра­зит­ной ча­с­ти под­лож­ки в ка­те­го­рию ак­тив­ной и к ее мо­ду­ля­ции с двух сто­рон, а сфор­ми­ро­ван­ный к ге­те­ро­слою тре­тий ба­рьер ис­клю­ча­ет ин­жек­цию но­си­те­лей в ба­зо­вую об­ласть и су­ще­ст­вен­но умень­ша­ет ем­кость струк­ту­ры. В ре­зу­ль­та­те уве­ли­чи­ва­ет­ся фо­то­чув­стви­те­ль­ность при­ем­ни­ка и рас­ши­ря­ет­ся его спек­тра­ль­ный ди­а­па­зон.