Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы

Анотація

Установлено, что при длительной (120 ч) термообработке мо­но­кри­стал­лов InSe в па­рах се­ры фор­ми­ру­ет­ся ге­те­ро­струк­ту­ра InS/InSe. Ис­сле­до­ван­ные элек­три­чес­кие и фо­то­элек­три­чес­кие ха­рак­те­рис­ти­ки по­лу­чен­ных струк­тур по­ка­за­ли су­ще­ствен­ное пре­вос­ход­ство ани­зо­тип­ной ге­те­ро­струк­ту­ры n-InS/p-InSe над ее изо­тип­ным ана­ло­гом. Про­ве­де­но срав­не­ние спек­траль­ных ха­рак­те­рис­тик ге­те­ро­струк­тур n-InS/p-InSe, по­лу­чен­ных при раз­ной про­дол­жи­тель­нос­ти от­жи­га. Для плен­ки InS оп­ре­де­ле­на ве­ли­чи­на меж­зон­ных пе­ре­хо­дов, а так­же па­ра­мет­ры эле­мен­тар­ной крис­тал­ли­чес­кой ячейки.