Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев

Анотація

Пред­став­ле­ны ре­зуль­та­ты ис­сле­до­ва­ний по оп­ти­ми­за­ции ре­жи­мов пред­эпи­так­си­аль­ной об­ра­бот­ки под­ло­жек GaSb хи­ми­чес­ким трав­ле­ни­ем в сме­сях на ос­но­ве не­ор­га­ни­чес­ких кис­лот. По­ка­за­но, что ис­поль­зо­ва­ние двух­ста­дий­ной хи­ми­чес­кой об­ра­бот­ки плас­тин в тра­ви­те­лях HNO₃:HF:H₂O=3:1:2 и H₂O₂:HF:H₂O=4:1:15 поз­во­ля­ет удов­лет­во­рить тре­бо­ва­ния, пре­дъяв­ля­емые к под­лож­кам GaSb при жид­ко­фаз­ной эпи­так­сии. Най­де­ны оп­ти­маль­ные ре­жи­мы пред­эпи­так­си­аль­ной об­ра­бот­ки под­ло­жек GaSb, обес­пе­чи­ва­ющие зна­че­ние ше­ро­хо­ва­тос­ти по­верх­нос­ти не бо­лее 0,05 мкм и рав­но­мер­ное сма­чи­ва­ние под­ло­жек рас­тво­ром-рас­пла­вом.