Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа

  • В. А. Краснов Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Ю. М. Шварц Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • М. М. Шварц Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Д. П. Копко Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • С. Ю. Ерохин Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • А. М. Фонкич Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • С. В. Шутов Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Н. И. Сыпко Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
Ключові слова: GaP, сенсор, температура, диод

Анотація

Раз­ра­бо­та­на ме­то­ди­ка по­лу­че­ния p+–n-ди­од­ных эпи­так­си­аль­ных струк­тур GaP из жид­кой фа­зы. В диа­па­зо­не тем­пе­ра­ту­ры 80—520 К из­ме­ре­ны тер­мо­мет­ри­чес­кие и вольт-ам­пер­ные ха­рак­те­рис­ти­ки опыт­ных об­раз­цов ди­од­ных сен­со­ров тем­пе­ра­ту­ры и оп­ре­де­ле­ны их ос­нов­ные тех­ни­чес­кие па­ра­мет­ры. По­ка­за­на пер­спек­тив­ность при­ме­не­ния раз­ра­бо­тан­ных GaP-дио­дов в ка­чес­тве чув­стви­тель­ных эле­мен­тов вы­со­ко­тем­пе­ра­тур­ных сен­со­ров.

Опубліковано
2008-12-30
Як цитувати
Краснов, В. А., Шварц, Ю. М., Шварц, М. М., Копко, Д. П., Ерохин, С. Ю., Фонкич, А. М., Шутов, С. В., & Сыпко, Н. И. (2008). Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (6), 38-40. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2008.6.38
Номер
№ 6 (2008): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2008 Краснов В. А., Шварц Ю. М., Шварц М. М., Копко Д. П., Ерохин С. Ю., Фонкич А. М., Шутов С. В., Сыпко Н. И.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.