Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей

Анотація

Рас­смот­ре­на воз­мож­ность по­лу­че­ния эф­фек­тив­ных фо­то­элек­три­чес­ких пре­об­ра­зо­ва­те­лей (ФЭП) III по­ко­ле­ния. Ис­сле­до­ва­ны ге­те­ро­струк­ту­ры на ос­но­ве GaAs c кван­то­вы­ми точ­ка­ми (КТ) InAs, по­лу­чен­ны­ми в про­цес­се жид­ко­фаз­ной эпи­так­сии ме­то­дом им­пульс­но­го ох­лаж­де­ния на­сы­щен­но­го рас­тво­ра в рас­пла­ве ин­дия или оло­ва. Ха­рак­те­рис­ти­ки ФЭП, из­го­тов­лен­ных на ос­но­ве ге­те­ро­струк­тур, со­дер­жа­щих КТ в об­лас­ти р–n-пе­ре­хо­да, ус­ту­па­ли кон­троль­ным фо­то­пре­об­ра­зо­ва­те­лям, из­го­тов­лен­ным на та­ких же струк­ту­рах, но без КТ. Фо­то­пре­об­ра­зо­ва­те­ли, со­дер­жа­щие КТ в р-об­лас­ти, не ус­ту­па­ли кон­троль­ным и да­же бы­ли не­сколь­ко луч­ше.