Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs

  • Н. Б. Горев Институт технической механики НАНУ и НКАУ, Днепропетровск, Украина
  • И. Ф. Коджеспирова Институт технической механики НАНУ и НКАУ, Днепропетровск, Украина
  • Е. Н. Привалов Институт технической механики НАНУ и НКАУ, Днепропетровск, Украина
Ключові слова: арсенид галлия, полевой транзистор, барьер Шоттки, напряжение отсечки, вольт-фарадная характеристика

Анотація

Показано, что напряжение отсечки ионно-имплантированного полевого транзистора с барьером Шоттки (ПТШ) на GaAs с хорошей точностью соответствует напряжению, при котором на вольт-фарадной характеристике появляется точка перегиба. Предложен метод прогнозирования напряжения отсечки ионно-имплантированных ПТШ с помощью вольт-фарадных измерений до нанесения контактов.

Опубліковано
2007-12-30
Як цитувати
Горев, Н. Б., Коджеспирова, И. Ф., & Привалов, Е. Н. (2007). Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (6), 3-5. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.6.03
Номер
№ 6 (2007): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2007 Горев Н. Б., Коджеспирова И. Ф., Привалов Е. Н.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.