Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур

  • А. В. Каримов Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
  • Д. М. Ёдгорова Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
  • Ф. А. Гиясова Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
  • Т. М. Азимов Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
  • У. М. Бузруков Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
  • А. А. Якубов Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
Ключові слова: изотип, фотоэлектропреобразователь, гетероструктура, барьер, фотоэлектрическое усиление

Анотація

Приведены результаты исследования особенностей фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательной структуры на основе изотипного NGaAs-nGaInAs-гетероперехода с потенциальными барьерами из Ag. Проанализированы физические процессы, протекающие в потенциальных барьерах при воздействии оптического излучения. Структуры обладают большей фоточувствительностью (2,2 А/Вт) при малых интенсивностях светового излучения. Фототок в примесной области поглощения охватывает широкий диапазон, вплоть до 1,7 мкм.

Опубліковано
2007-08-30
Як цитувати
Каримов, А. В., Ёдгорова, Д. М., Гиясова, Ф. А., Азимов, Т. М., Бузруков, У. М., & Якубов, А. А. (2007). Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (4), 23-28. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.4.23
Номер
№ 4 (2007): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2007 Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Гиясова Ф. А., Азимов Т. М., Бузруков У. М., Якубов А. А.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.