Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵

  • Д. М. Ёдгорова Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
  • А. В. Каримов Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
  • Ф. А. Гиясова Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
  • Р. А. Саидова Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
Ключові слова: устройство, способ, структура, режим, эпитаксия, гетерослой

Анотація

Описан комбинированный способ получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А3В5 в едином технологическом процессе как принудительным охлаждением, так и изотермическим смешиванием растворов-расплавов, в котором параметры выращиваемых слоев задаются режимом охлаждения и скоростью подачи смешиваемых растворов. Предлагаемый способ и устройство представляют интерес для получения полупроводниковых структур с изменяющейся шириной запрещенной зоны активных областей.

Опубліковано
2007-06-29
Як цитувати
Ёдгорова, Д. М., Каримов, А. В., Гиясова, Ф. А., & Саидова, Р. А. (2007). Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (3), 56-58. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.3.56
Номер
№ 3 (2007): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2007 Ёдгорова Д. М., Каримов А. В., Гиясова Ф. А., Саидова Р. А.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.