Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов

  • В. И. Босый НПП «Сатурн», Киев, Украина
  • Н. Г. Данилов НПП «Сатурн», Киев, Украина
  • В. П. Кохан НПП «Сатурн», Киев, Украина
  • В. А. Новицкий НПП «Сатурн», Киев, Украина
  • Е. М. Семашко НПП «Сатурн», Киев, Украина
  • В. В. Ткаченко НПП «Сатурн», Киев, Украина
  • T. A. Шпоняк НПП «Сатурн», Киев, Украина
Ключові слова: светоизлучающий диод, омический контакт, р-область GaN, пленка Ni/Au

Анотація

Приведены результаты исследований омических контактов на основе пленок Ni-Au к р-области нитрида галлия. Проведены исследования влияния толщины слоев Ni/Au, условий нанесения и формирования контакта на удельное контактное сопротивление, перераспределение элементов в структурах "металл-полупроводник" и оптические свойства контактной системы. Получены омические контакты (Ni-Au)/р-GaN с удельным контактным сопротивлением (1–2)·10–3 Ом·см2 и прозра­чностью 78% на длине волны 460 нм.

Опубліковано
2007-06-29
Як цитувати
Босый, В. И., Данилов, Н. Г., Кохан, В. П., Новицкий, В. А., Семашко, Е. М., Ткаченко, В. В., & ШпонякT. A. (2007). Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (3), 43-45. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.3.43
Номер
№ 3 (2007): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2007 Босый В. И., Данилов Н. Г., Кохан В. П., Новицкий В. А., Семашко Е. М., Ткаченко В. В., Шпоняк Т. А.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.