Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны

  • В. Н. Иванов Научно-исследовательский институт «Орион», Киев, Украина
  • В. М. Ковтонюк Научно-исследовательский институт «Орион», Киев, Украина
  • Ю. Е. Николаенко Научно-исследовательский институт «Орион», Киев, Украина
Ключові слова: арсенид галлия, диод Ганна, инжекция горячих электронов

Анотація

Разработаны диоды Ганна из GaAs с катодным контактом AuGе–TiB2–Au, который инжектирует горячие электроны. Диоды Ганна работают в диапазоне частот от 17,44 до 78,0 ГГц с эффективностью от 8 до 4%, соответственно. На основе диода Ганна разработан генератор с электрической перестройкой частоты в диапазоне частот 32,7—34,7 ГГц с перепадом выходной мощности менее 1,5 дБ в полосе перестройки и при изменении температуры от –50°С до +75°С.

Опубліковано
2007-04-30
Як цитувати
Иванов, В. Н., Ковтонюк, В. М., & Николаенко, Ю. Е. (2007). Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (2), 29-30. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.2.29
Номер
№ 2 (2007): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2007 Иванов В. Н., Ковтонюк В. М., Николаенко Ю. Е.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.