Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора

Анотація

Экспериментально показано, что в полевом фототранзисторе с каналом, легированным оловом, участок с высоким динамическим сопротивлением является протяженным, в отличие от транзистора, легированного теллуром, что связано с особенностями процессов запирания канала в каждом случае. Выяснены механизмы фоточувствительности и установлена прямая зависимость процессов внутреннего усиления фототока от крутизны передаточной характеристики и выходного динамического сопротивления. Результаты могут быть использованы при конструировании оптоэлектронных схем на основе полевых фототранзисторов.