Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе

Анотація

Определены границы внешних воздействий и условия (температура, γ-облучение), при которых сохраняется стабильность параметров и концентрация уровней никеля, необходимые при использовании его в качестве примеси в микроэлектронике. Предложены способы изготовления полупроводникового переключателя, ячейки памяти и диодной матрицы с идентичными параметрами (по U_np) на основе Al–SiO₂–Si–М-структуры.