Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского

  • Г. П. Ковтун ННЦ «Харьковский физико-технический институт», Украина
  • А. П. Щербань ННЦ «Харьковский физико-технический институт», Украина
Ключові слова: монокристаллы арсенида галлия, полуизолирующий арсенид галлия, методы выращивания, метод Чохральского с жидкостной герметизацией расплава, характеристики установок

Анотація

Дана краткая характеристика и сравнение метода Чохральского (ЖГЧ) с другими методами, а также его место в развитии технологии получения ПИ-GaAs. Представлена информация о современных разработках ростового оборудования для производства ПИ-GaAs большого диаметра методом ЖГЧ. Приведены сравнительные характеристики вытягивающих установок нового и предшествующего поколений. Описаны тенденции разработок ростового оборудования, а также состояние отечественного машиностроения и промышленного производства арсенида галлия.

Опубліковано
2006-02-28
Як цитувати
Ковтун, Г. П., & Щербань, А. П. (2006). Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (6), 3-6. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.6.03
Номер
№ 6 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2006 Ковтун Г. П., Щербань А. П.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.