Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах

  • В. И. Босый НПП «Сатурн», Киев, Украина
  • Ф. И. Коржинский НПП «Сатурн», Киев, Украина
  • Е. М. Семашко НПП «Сатурн», Киев, Украина
  • И. В. Середа НПП «Сатурн», Киев, Украина
  • Л. Д. Середа НПП «Сатурн», Киев, Украина
  • В. В. Ткаченко НПП «Сатурн», Киев, Украина
Ключові слова: полевой СВЧ-транзистор, электронно-лучевая литография, Т-образ­ный затвор

Анотація

Исследован процесс формирования Т-образного затвора в малошумящих полевых транзисторах миллиметрового и суб­миллиметрового диапазонов длин волн. Предложена технологическая схема формирования Т-образного затвора, основанная на использовании электронно-лучевого экспонирования трехслойной резистивной структуры, состоящей из двух слоев электронного резиста, разделенных тонким слоем металла. Получены экспериментальные образцы транзисторов с Т-образными затворами высотой 1,1 мкм, длиной нижней части 0,15 мкм и верхней части — 0,8–1,0 мкм.

Опубліковано
2006-10-30
Як цитувати
Босый, В. И., Коржинский, Ф. И., Семашко, Е. М., Середа, И. В., Середа, Л. Д., & Ткаченко, В. В. (2006). Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (5), 18-20. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.5.18
Номер
№ 5 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2006 Босый В. И., Коржинский Ф. И., Семашко Е. М., Середа И. В., Середа Л. Д., Ткаченко В. В.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.