Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода

  • А. В. Каримов Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
  • Д. М. Ёдгорова Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
  • Ш. Ш. Юлдашев Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
  • Ш. Ш. Болтаева Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
Ключові слова: резкий p–n-переход, жидкостная эпитаксия, промежуточный слой, раствор-расплав, охлаждение

Анотація

Приведен способ получения резкого p–n-перехода методом жидкостной эпитаксии, заключающийся в выращивании тонкого промежуточного слоя p-типа проводимости на сильнолегированной p+-подложке, а затем слоя n-типа проводимости из расплава, охлаждаемого с уменьшающейся скоростью.

Опубліковано
2006-08-31
Як цитувати
Каримов, А. В., Ёдгорова, Д. М., Юлдашев, Ш. Ш., & Болтаева, Ш. Ш. (2006). Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (4), 59-60. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.4.59
Номер
№ 4 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2006 Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Юлдашев Ш. Ш., Болтаева Ш. Ш.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.