Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод

  • Ю. Г. Добровольский НПФ «Тензор», Черновцы, Украина
Ключові слова: фотодиод, кремний, термостатирование, термоэлектрический модуль, темновой ток, ток шума

Анотація

Предложена и исследована конструкция кристалла кремниевого p–і–n-фотодиода, термостатированного термоэлектрическим модулем Пельтье. Показано, что такая конструкция позволяет сохранить практически неизменной плотность тока шума в диапазоне температур 20—85°С.

Опубліковано
2006-08-31
Як цитувати
Добровольский, Ю. Г. (2006). Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (4), 39-41. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.4.39
Номер
№ 4 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2006 Добровольский Ю. Г.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.