Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p–n–m-структурах

Анотація

Исследованы спектральная фоточувствительность и механизмы токопереноса в двухбарьерных p(Al_0,08Ga_0,82)In_0,1As-nGaAs:О-Au-структурах при комнатной температуре. Показано, что в зависимости от режима включения имеют место туннельно-инжекционный и генерационно-инжекционный токи. Исследованная двухсторонне чувствительная и работоспособная при любой полярности рабочего напряжения двухбарьерная структура представляет интерес для приема и обработки оптических сигналов в видимой (λ=0,5…0,9 мкм, λ=0,9…1,0 мкм) и ближней ИК (λ=1,0…1,4 мкм, λ=1,4…1,6 мкм) областях спектра, перспективных для оптоэлектроники.