Влияние плазмохимического травления на структуру поверхности кремниевых пластин фотоэлектрических преобразователей

  • Б. П. Полозов Институт ядерных исследований НАН Украины, Киев, Украина
  • O. A. Федорович Институт ядерных исследований НАН Украины, Киев, Украина
  • В. Н. Голотюк Институт ядерных исследований НАН Украины, Киев, Украина
  • A. A. Мариненко Институт ядерных исследований НАН Украины, Киев, Украина
  • Д. В. Лукомский ОАО «Квазар», Киев, Украина
Ключові слова: фотоэлектрические преобразователи, плазмохимическое травление, плазмохимический реактор

Анотація

Представлены результаты плазмохимического травления (ПХТ) поверхности пластин фотоэлектрических преобразователей (ФЭП), структурированной химическим травлением. ПХТ проводилось в плазмохимическом реакторе в смеси элегаза (SF6) и 10% кислорода. С помощью масс-спектрометрии показана высокая эффективность использования рабочих газов в ПХР. Проведенные при помощи электронного микроскопа исследования показали различной степени изменения структуры поверхности в зависимости от времени травления. В результате кратковременной обработки поверхности кремниевой пластины повышается эффективность ее взаимодействия со светом - увеличивается ток короткого замыкания на 5,5% и повышается КПД ФЭП с 12% до 13%.

Опубліковано
2006-04-30
Як цитувати
Полозов, Б. П., ФедоровичO. A., Голотюк, В. Н., МариненкоA. A., & Лукомский, Д. В. (2006). Влияние плазмохимического травления на структуру поверхности кремниевых пластин фотоэлектрических преобразователей. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (2), 52-55. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.52