Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1)

  • В. Н. Катеринчук Институт проблем материаловедения им. И. М. Францевича НАН Украины, Черновицкое отделение, Украина
  • М. З. Ковалюк Институт проблем материаловедения им. И. М. Францевича НАН Украины, Черновицкое отделение, Украина
Ключові слова: SnS₂, SnSe₂, InSe, гетеропереход, фотоэлектрические параметры

Анотація

Методом оптического контакта полупроводников изготовлены гетеропереходы SnS2–xSex–InSe. Спектр их фотоотклика линейно сужается с увеличением х. P-n-переход сосредоточен в InSe, и в равновесных условиях может реализовываться как обычный режим обеднения (x>0), так и режим инверсной проводимости (х=0). Зависимость прямого тока от напряжения гетеропереходов соответствует зависимости диодов с идеальными характеристиками. Полученные гетеропереходы могут использоваться как фотоприемники.

Опубліковано
2006-04-30
Як цитувати
Катеринчук, В. Н., & Ковалюк, М. З. (2006). Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1). Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (2), 41-42. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.41
Номер
№ 2 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2006 Катеринчук В. Н., Ковалюк М. З.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.