Исследование фотоэлектрических характеристик микрофототерминала

  • А. В. Каримов Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
  • Д. М. Ёдгорова Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
  • У. М. Бузруков Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
  • M. A. Мирджалилова Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
  • Ш. Ш. Болтаева Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
Ключові слова: фотодиодно-диодная структура, фоточувствительность, фото­гальва­ничес­кий, фотоприемный режим

Анотація

Приведены результаты исследования фотоэлектрических характеристик микрофототерминала, состоящего из фотодиодно-диодной структуры с встречновключенными фото- и темновым диодами. Показано, что в фотогальваническом режиме его параметры подвержены незначительным изменениям, а в фотоприемном обладают высокой фоточувствительностью. Предлагаемая конструкция элементов представляет интерес для коммутации нескольких фотоэлектрических структур с малыми потерями.

Опубліковано
2006-04-30
Як цитувати
Каримов, А. В., Ёдгорова, Д. М., Бузруков, У. М., МирджалиловаM. A., & Болтаева, Ш. Ш. (2006). Исследование фотоэлектрических характеристик микрофототерминала. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (2), 32-35. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.32
Номер
№ 2 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2006 Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Бузруков У. М., Мирджалилова М. А., Болтаева Ш. Ш.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.