Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники

  • С. И. Круковский НПП «Карат», Львов, Украина
Ключові слова: комплексное легирование, эпитаксиальные структуры, редкоземельные элементы, оптоэлектроника

Анотація

Изучено влияние комплексного легирования редкоземельными элементами (Yb, Gd) и алюминием на электрофизические свойства слоев InGaAsP, полученных жидкофазной эпитаксией. С применением технологического подхода, который базируется на использовании комплексного легирования, получены эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для фотоприемников. На основе этих структур изготовлены мезаструктуры фотодиодов с активной площадью 0,3·10–2 см2 и темновыми токами не более 10–9 А при 300 К.

Опубліковано
2026-04-10
Як цитувати
Круковский, С. И. (2026). Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (2), 27-31. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.27
Номер
№ 2 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2006 Круковский С. И.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.