Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами

  • В. В. Баранов Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Республика Беларусь
Ключові слова: твердотельные структуры типа МОП, физико-технологические ограничения, самосовмещенная технология, переходные металлы, силициды

Анотація

Рассмотрены физико-технологические ограничения при формировании твердотельных МОП-структур различного типа в составе кремниевых БИС и СИС. Показаны возможности повышения их технологичности на основе самосовмещенных процессов формирования пленочных структур, в т. ч. при использовании твердофазных реакций тугоплавких переходных металлов с кремнием, протекающих в условиях изотермической и импульсной термообработок, а также создания ДМОП-транзисторов с вертикальной структурой, перспективной для мощных полупроводниковых приборов.

Опубліковано
2005-10-30
Як цитувати
Баранов, В. В. (2005). Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (5), 42-46. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.5.42
Номер
№ 5 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2005 Баранов В. В.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.