Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки

  • Л. П. Ануфриев Завод «Транзистор», Минск, Беларусь
  • В. В. Баранов Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Республика Беларусь
  • Я. А. Соловьев Завод «Транзистор», Минск, Беларусь
  • М. В. Тарасиков Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Республика Беларусь
Ключові слова: диоды Шоттки, силицид палладия, термическое испарение, вольт-амперные характеристики

Анотація

Предложена технология формирования переходных слоев силицида палладия твердофазной реакцией пленки палладия с кремниевой подложкой непосредственно в процессе напыления без применения последующей термообработки. Проведены исследования элементного состава и кристаллической структуры полученных слоев силицида, измерена высота потенциального барьера к кремнию n-типа. Показана возможность применения полученных слоев силицидов палладия для изготовления мощных диодов Шоттки.

Опубліковано
2005-08-30
Як цитувати
Ануфриев, Л. П., Баранов, В. В., Соловьев, Я. А., & Тарасиков, М. В. (2005). Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (4), 55-56. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.4.55
Номер
№ 4 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2005 Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.