Получение наноструктурированных пленок AlN и ZnO и их применение в электронной технике

  • А. Ф. Белянин ЦНИТИ «Техномаш», Москва, Россия
  • М. И. Самойлович ЦНИТИ «Техномаш», Москва, Россия
  • К. А. Ковальский Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, Россия
  • К. Ю. Петухов Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, Россия
Ключові слова: наноматериалы, магнетронное распыление, слоистые структуры, акусто- и эмиссионная электроника

Анотація

Рассмотрены конструктивные особенности распылительной системы установки магнетронного распыления и условия формирования пленок AlN и ZnO с контролируемым содержанием и строением кристаллической фазы. Показаны условия получения и эксплуатационные характеристики слоистых структур, включающих слои AlN, ZnO, алмаза и алмазоподобного углерода, при их применении в акусто- и эмиссионной электронике.

Опубліковано
2005-08-30
Як цитувати
Белянин, А. Ф., Самойлович, М. И., Ковальский, К. А., & Петухов, К. Ю. (2005). Получение наноструктурированных пленок AlN и ZnO и их применение в электронной технике. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (4), 46-54. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.4.46
Номер
№ 4 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2005 Белянин А. Ф., Самойлович М. И., Ковальский К. А., Петухов К. Ю.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.