Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4

  • А. В. Войцеховский Сибирский физико-технический институт, Томск, Россия
  • С. Н. Несменов Сибирский физико-технический институт, Томск, Россия
  • Н. А. Кульчицкий МГИРЭА, Москва, Россия
Ключові слова: МДП-структуры, HgCdTe, вольт-фарадные характеристики, варизонные слои

Анотація

Экспериментально исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур n(p)-HgCdTe/SiO2/Si3N4 и n(p)-HgCdTe/анодно-окисная пленка при различных частотах и направлениях развертки напряжения. Установлены особенности электрофизических характеристик, связанные с сопротивлением объема эпитаксиальной пленки и наличием приповерхностных варизонных слоев. Показано, что использование двухслойного диэлектрика SiO2/Si3N4 перспективно для пассивации поверхности матричных HgCdTe-фотодиодов для инфракрасного диапазона.

Опубліковано
2005-08-30
Як цитувати
Войцеховский, А. В., Несменов, С. Н., & Кульчицкий, Н. А. (2005). Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (4), 35-38. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.4.35
Номер
№ 4 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2005 Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Кульчицкий Н. А.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.