Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов

  • А. Г. Яцуненко Институт технической механики НАНУ и НКАУ, Днепропетровск, Украина
  • В. М. Ковтонюк Научно-исследовательский институт «Орион», Киев, Украина
  • В. Н. Иванов Научно-исследовательский институт «Орион», Киев, Украина
  • Ю. Е. Николаенко Научно-исследовательский институт «Орион», Киев, Украина
Ключові слова: арсенид галлия, катодный контакт, барьер Шоттки, диод Ганна, генераторный модуль, КВЧ-аппараты, КВЧ-терапия, РАМЕД ЭКСПЕРТ

Анотація

Осуществлена аппаратная реализация многоканальных отечественных аппаратов КВЧ-терапии на основе диодов Ганна, работающих в диапазоне частот 42-53 ГГц и 56-65 ГГц с рабочими токами менее 120 мА. Новые технологии формирования катодного контакта с ограниченной инжекцией тока основных носителей из AuGe-TiB2-Au позволяют получать диоды с эффективностью преобразования постоянного напряжения в СВЧ-колебания более 2% и максимальной выходной мощностью до 10 мВт. Это позволяет намного повысить эксплуатационные характеристики КВЧ-аппаратуры и расширить ее функциональные возможности.

Опубліковано
2005-06-30
Як цитувати
Яцуненко, А. Г., Ковтонюк, В. М., Иванов, В. Н., & Николаенко, Ю. Е. (2005). Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (3), 46-48. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.46
Номер
№ 3 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2005 Яцуненко А. Г., Ковтонюк В. М., Иванов В. Н., Николаенко Ю. Е.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.