Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах

  • А. А. Балицкий Львовський национальный университет имени Ивана Франко, Украина
Ключові слова: солнечные элементы, ван-дер-вальсовская эпитаксия, халькогениды галлия и кадмия, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия

Анотація

Рассмотрен вопрос замены халькогенидов кадмия в структурах солнечных элементов. Исследован процесс эпитаксии селенида кадмия на слоистую подложку GaTe. Показано, что этот процесс сопровождается реакционным взаимодействием компонент, последующей диффузией атомов галлия подложки к поверхности и формирующимися связями Ga-Se относительно объемной Ga-Te- и эпитаксионной Cd-Se-составляющих фотоэлектронного спектра.

Опубліковано
2005-04-29
Як цитувати
Балицкий, А. А. (2005). Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (2), 59-61. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.2.59
Номер
№ 2 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2005 Балицкий А. А.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.