Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского

  • Г. П. Ковтун ННЦ «Харьковский физико-технический институт», Украина
  • А. И. Кравченко ННЦ «Харьковский физико-технический институт», Украина
  • А. И. Кондрик ННЦ «Харьковский физико-технический институт», Украина
  • А. П. Щербань ННЦ «Харьковский физико-технический институт», Украина
  • А. И. Кондрик ННЦ «Харьковский физико-технический институт», Украина
Ключові слова: арсенид галлия, монокристаллы, метод Чохральского, компьютерное моделирование, тепловое поле

Анотація

Применительно к методу Чохральского с жидкостной герметизацией расплава и с погруженным во флюс дополнительным нагревателем (д. н.) изучены зависимости температурного градиента G вблизи фронта кристаллизации в кристалле GaAs от мощности д. н., его удаленности от кристалла, а также от условий теплового экранирования кристалла и флюса при различном соотношении между тепловыми потоками через дно и стенку тигля. Показаны условия, при которых достигаются лучшие результаты (с учетом значений G и равномерности их радиального распределения).

Опубліковано
2004-12-30
Як цитувати
Ковтун, Г. П., Кравченко, А. И., Кондрик, А. И., Щербань, А. П., & Кондрик, А. И. (2004). Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (6), 3-6. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.03
Номер
№ 6 (2004): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2004 Ковтун Г. П., Кравченко А. И., Кондрик А. И., Щербань А. П.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.