Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры

  • A. M. Гасанов Национальное аэрокосмическое агентство, Баку, Азербайджан
  • Ф. Д. Касимов Национальное аэрокосмическое агентство, Баку, Азербайджан
  • А. Э. Лютфалибекова Национальное аэрокосмическое агентство, Баку, Азербайджан
Ключові слова: негатрон, МОП-структура, локальное давление, упругие механические напряжения, ширина запрещенной зоны

Анотація

Исследовано влияние локального анизотропного давления на кремниевую МОП-структуру. Показано, что повышение инверсной емкости связано не только с увеличением положительных носителей в окисле на границе раздела Si-SiO под влиянием локального давления, а вызвано также и уменьшением ширины запрещенной зоны полупроводника. Предложена негатронная схема, преобразующая давление в частоту.

Опубліковано
2004-10-30
Як цитувати
ГасановA. M., Касимов, Ф. Д., & Лютфалибекова, А. Э. (2004). Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (5), 29-31. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.5.29
Номер
№ 5 (2004): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2004 Гасанов А. М., Касимов Ф. Д., Лютфалибекова А. Э.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.