Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии

  • В. Н. Иванов Научно-исследовательский институт «Орион», Киев, Украина
  • В. М. Ковтонюк Научно-исследовательский институт «Орион», Киев, Украина
  • Н. С. Раевская Научно-исследовательский институт «Орион», Киев, Украина
Ключові слова: КВЧ-терапия, диод Ганна, арсенид галлия

Анотація

Описаны конструкция и технология изготовления диодов Ганна для применения в КВЧ-терапии. Рабочая частота 42 ГГц, выходная мощность более 1 мВт при рабочем токе меньше 120 мА. Диоды изготовлены из эпитаксиальных структур GaAs типа n-n+. Толщина n-слоя 2,4-2,6 мкм, концентрация носителей (8...9)·1015 см–3. В качестве катода применялся многослойный контакт Ge–Au–TiB2–Au. Формирование омического контакта на поверхность n-слоя создает неоднородность, которая способствует зарождению в этом месте домена.

Опубліковано
2004-06-30
Як цитувати
Иванов, В. Н., Ковтонюк, В. М., & Раевская, Н. С. (2004). Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (3), 55-57. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.3.55
Номер
№ 3 (2004): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2004 Иванов В. Н., Ковтонюк В. М., Раевская Н. С.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.