Оптимизация геометрических характеристик p–n-структур для оптоэлектроники

  • И. М. Викулин Одеська національна академія зв'язку ім. О. С. Попова, Україна
  • В. И. Ирха Одеська національна академія зв'язку ім. О. С. Попова, Україна
  • Б. В. Коробицын Одеська національна академія зв'язку ім. О. С. Попова, Україна
  • В. Е. Горбачёв Одеська національна академія зв'язку ім. О. С. Попова, Україна
Ключові слова: светодиод, фотодиод, доводка, эффективность

Анотація

Обсуждается связь оптимальных геометрических характеристик и спектров электролюминесценции р-n-структур для их применения в качестве светоизлучающих диодов или фотоприемников. Рассмотрена возможность использования электролюминесценции р-n-структур для доводки их при изготовлении фотоприемников. Показано применение обнаруженных зависимостей на примере арсенидгаллиевых р-n-структур.

Опубліковано
2004-06-30
Як цитувати
Викулин, И. М., Ирха, В. И., Коробицын, Б. В., & Горбачёв, В. Е. (2004). Оптимизация геометрических характеристик p–n-структур для оптоэлектроники. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (3), 38-39. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.3.38
Номер
№ 3 (2004): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2004 Викулин И. М., Ирха В. И., Коробицын Б. В., Горбачев В. Э.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.