Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения

Анотація

В широкой спектральной области исследовано явление фото­плеохроизма в гетеропереходах оксид–p-InSe и n⁺-In₂O₃–p-GaSe. Максимальные значения коэффициента фотоплеохроизма (в Іn₂O₃–GaSe он достигает 65%, а в оксид–ІnSe — 40%) получены для краевого поглощения света кристаллами, которое совпадает с длинами волн излучения соответственно красного рубинового (λ=0,6328 мкм) и инфракрасного неодимового (λ=1,06 мкм) лазеров. Исследованные гетеропереходы могут быть использованы для упрощения регистрации азимутальной ориентации плоскополяризованного света.